Opis produktu
SUD50N06-09L-E3 VISHAY N - CHANNEL TrenchFET® Power MOSFET, 175 °C Junction Temperature
- VDS : 30V
- VGS : ± 30V
- RDS(on) : < 8mΩ
- ID : 55A TC= 25 °C
- Qg: 51nC
- RθCS :0,5°C/W
SUD50N06-09L-E3 VISHAY N - CHANNEL TrenchFET® Power MOSFET, 175 °C Junction Temperature
montaż: | THT |
typ tranzystora: | P-MOSFET |
obudowa: | TO252 (DPAK) |
prąd drenu: | 53 |
npięcie DS: | 30V |
rezystancja przewodz.: | 8.3 mΩ |
moc rozpraszana: | 45W |