Zamów dziś do 12:00 a Twoje zamówienie otrzymasz jutro!
SUD50N06-09L-E3 N-MOSFET , TO252
SUD50N06-09L-E3 N-MOSFET , TO252

SUD50N06-09L-E3 N-MOSFET , TO252

Brutto: 5,50
4,47
towar dostępny

Opis produktu

SUD50N06-09L-E3 VISHAY  N - CHANNEL  TrenchFET® Power MOSFET,  175 °C Junction Temperature

  • VDS : 30V
  • VGS : ± 30V
  • RDS(on) : < 8mΩ
  • ID : 55A TC= 25 °C
  • Qg: 51nC
  • RθCS :0,5°C/W

Specyfikacja produktu

montaż: THT
typ tranzystora: P-MOSFET
obudowa: TO252 (DPAK)
prąd drenu: 53
npięcie DS: 30V
rezystancja przewodz. : 8.3 mΩ
moc rozpraszana: 45W
Ostatnio oglądane
BLD10 obudowa gniazda 2* 5p RM2,54 BLD10 obudowa gniazda 2* 5p RM2,54

Obudowa złacza, gniazda 2x 5p, dwurzędowego RM2,54

BLD10 obudowa gniazda 2* 5p RM2,54
30,00
Wtyk antenowy skręcany, prosty Wtyk antenowy skręcany, prosty

Wtyk antenowy skręcany, prosty z tworzywa

Wtyk antenowy skręcany, prosty
4,00
TA 7241P HSIP12 Toshiba

TA7241P HSIP12 Toshiba

TA 7241P HSIP12 Toshiba
5,00
TS420-600T tyrystor 2,5A 600V ST TS420-600T tyrystor 2,5A 600V ST

TS420-600T tyrystor 2.5A, 600V STMICROELECTRONICS TO220AB

TS420-600T tyrystor 2,5A 600V ST
4,30

Producenci