STGW80H65DFB tranz. IGBT STM

Opis produktu

  STGW80H65DFB STMicroelectronics, Highspeed5 FASTIGBTinTRENCHSTOP TM5 technology

• V_CES :      650V
• I_C :          @ TC = 25^oC:  120A;      @ TC = 100^oC:  80A   
• V_GES:     ±20V        
• V_CE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A  
• P_D :         @ TC = 25^oC 470W, 
• Qg :        414nC