Opis produktu
STF13N60M2 N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg
- VDS : 650V
- VGS : ± 25V
- RDS(on) : 385mΩ
- ID : 11A TC= 25 °C
- Qg: 17nC
- RθCS :5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
STF13N60M2 N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO220iso |
| prąd drenu: | 11.0A |
| npięcie DS: | 650V |
| rezystancja przewodz. : | 380 mΩ |
| moc rozpraszana: | 25W |
Bezpiecznik polimerowy RXEF010, 0.1A, 60V op. 100 szt
IRGP4068DIRGP4068D IRGP4068D tranz. IGBT , 600V, 96A z diodą TO247 IR

