Opis produktu
STF13N60M2 N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg
- VDS : 650V
- VGS : ± 25V
- RDS(on) : 385mΩ
- ID : 11A TC= 25 °C
- Qg: 17nC
- RθCS :5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
STF13N60M2 N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg
montaż: | THT |
typ tranzystora: | N-MOSFET |
obudowa: | TO220iso |
prąd drenu: | 11.0A |
npięcie DS: | 650V |
rezystancja przewodz.: | 380 mΩ |
moc rozpraszana: | 25W |