Opis produktu
NDC632. P-Channel logic level enhancement mode power field transistor
- obudowa: SOT23
- VDSS = -20V
- RDS(on) = 0.14 Ω @ V GS= -4.5V
- ID = 2.7A
- RqJC= 30°C/W
- Q(g = 15nC
- waga: 0,08g
- opakownie: rolka 3000szt
Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoci prosimy o kontakt z firmą.
