Opis produktu
IRFR5305 taranzystor z kanałem P HEXFET® Power MOSFET
- obudowa: DPAK(TO252)
- VDSS = 55V
- RDS(on) = 0.065Ω
- ID = 28A
- RqJC= 3°C/W
- V(BR)DSS = 55V
- DV(BR)DSS/DTJ = 0.061V/°C
- waga: 0,8g
Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoci prosimy o kontakt z firmą.