Opis produktu
IRFPE50PBF - Vishay Siliconix, tranzystor MOSFET N-Channel trzeciej generacji
- VDS :800V
- RDS(on) : 1,2Ω
- ID : 7,8A
- Pd : 190W
- Qg: 200nC
- RθCS :0,24°C/W
IRFPE50PBF - Vishay Siliconix, tranzystor MOSFET N-Channel trzeciej generacji
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO247 |
| prąd drenu: | 8.0 |
| npięcie DS: | 800V |
| rezystancja przewodz. : | 1,3Ω |
| moc rozpraszana: | 200W |