Opis produktu
IRFBF30 - Vishay Siliconix, N-Chanel Power MOSFET
- VDS : 900V
- RDS(on) : 3.7Ω
- ID : 3.6A
- Qg: 42nC
- RθCS :0,5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
IRFBF30 - Vishay Siliconix, N-Chanel Power MOSFET
montaż: | THT |
typ tranzystora: | N-MOSFET |
obudowa: | TO220 |
prąd drenu: | 3.0 |
npięcie DS: | 900V |