Opis produktu
IRFB4710 - Infineon HEXFET® Power MOSFET
- VDS : 100V
- RDS(on) : 14mΩ
- ID : 75A
- Qg: 110nC
- RθCS :0,5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
IRFB4710 N-Channel HEXFET TO220 IR
Brutto: 13,49
Specyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO220 |
| prąd drenu: | 75 |
| npięcie DS: | 100V |
| rezystancja przewodz.: | 14,0mΩ |
