Opis produktu
IRF610 N-MOSFET - VISHAY,
- VDS : 200V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : 180mΩ
- ID : 18A TC= 25 °C
- Qg: 70nC
- RθCS :0,5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
IRF640 N-MOSFET , TO220 opak.
Brutto: 6,00
Specyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO220 |
| prąd drenu: | 17 |
| npięcie DS: | 200V |
| moc rozpraszana: | 110W |
