IRF610 N-MOSFET , TO220 opak

Opis produktu

IRF610 N-MOSFET - SIL, N-MOSFET

• V_DS : 200V
• V_GS : ± 20V
• R_DS(on) : 550mΩ
• I_D : 3,3A T_C= 25 °C
• Qg: 8.2nC
• R_θCS :0,2°C/W
• opakowanie ; listwa 50szt

Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoœci prosimy o kontakt z firmą.