Zamów dziś do 12:00 a Twoje zamówienie otrzymasz jutro!
IRF610 N-MOSFET , TO220 opak
IRF610 N-MOSFET , TO220 opak

IRF610 N-MOSFET , TO220 opak

Brutto: 4,30
3,50
opakowanie
wybierz
  • 2 szt.

Opis produktu

IRF610 N-MOSFET - SIL, N-MOSFET

  • VDS : 200V
  • VGS : ± 20V
  • RDS(on) : 550mΩ
  • ID : 3,3A TC= 25 °C
  • Qg: 8.2nC
  • RθCS :0,2°C/W
  • opakowanie ; listwa 50szt

Specyfikacja produktu

montaż: THT
typ tranzystora: N-MOSFET
obudowa: TO220
prąd drenu: 3.0
npięcie DS: 200V 600V
moc rozpraszana: 35W
Ostatnio oglądane
Podstawka precyzyjna DIP06 op. Podstawka precyzyjna DIP06 op.

Podstawka precyzyjna DIP06

Podstawka precyzyjna DIP06 op.
od 7,00
STL1520/03-2,50VYX, 3P; RM2,50 prosty; opszt STL1520/03-2,50VYX, 3P; RM2,50 prosty; opszt

STL1520/03-2,50VYX, 3P; RM2,50 prosty do druku; opakowanie 3szt

STL1520/03-2,50VYX, 3P; RM2,50 prosty; opszt
3,95

Producenci