Opis produktu
IRF1018E - Advanced HEXFET® Power N-MOSFETs 60V 79A 120W 0,0071Ω
- VDS :60V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : 7,1mΩ
- ID : 79A TC= 25 °C
- Qg: 130nC
- RθCS :0.5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
IRF1018E N-MOSFET TO220 IR
Brutto: 3,60
BRAK TOWARU
PDFSpecyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO220 |
| prąd drenu: | 75 |
| npięcie DS: | 60V |
Ostatnio oglądane
