Opis produktu
IRF1010E - Advanced HEXFET® Power N-MOSFETs 60V 75A 120W 0,012Ω
- VDS :60V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : 12mΩ
- ID : 75A TC= 25 °C
- Qg: 130nC
- RθCS :0.5°C/W
- opakowanie ; listwa 50szt
IRF1010E N-MOSFET TO220 IR
Brutto: 3,20
towar dostępny
PDFSpecyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO220 |
| prąd drenu: | 75 |
| npięcie DS: | 60V |
| rezystancja przewodz.: | 12,0mΩ |
Kupowane z tym produktem
