Zamów dziś do 12:00 a Twoje zamówienie otrzymasz jutro!
IRF1010E N-MOSFET TO220 IR
IRF1010E N-MOSFET TO220 IR
IRF1010E N-MOSFET TO220 IR

IRF1010E N-MOSFET TO220 IR

Brutto: 3,20
2,60
towar dostępny

Opis produktu

 IRF1010E - Advanced HEXFET® Power N-MOSFETs  60V 75A 120W 0,012Ω

  • VDS :60V
  • VGS : ± 20V
  • RDS(on) : 12mΩ
  • ID : 75A     TC= 25 °C
  • Qg: 130nC
  • RθCS :0.5°C/W
  • opakowanie ; listwa 50szt

PDF

Specyfikacja produktu

montaż: THT
typ tranzystora: N-MOSFET
obudowa: TO220
prąd drenu: 75
npięcie DS: 60V
rezystancja przewodz. : 12,0mΩ
Ostatnio oglądane
Rezystor 0515 ±1%,     1,0k; 2W Rezystor 0515 ±1%,     1,0k; 2W

Rezystor metalizowany rozm. 0515 ±1%, 1k

Rezystor 0515 ±1%, 1,0k; 2W
1,50
S1M dioda prostownicza SMA LGE S1M dioda prostownicza SMA LGE

S1G dioda prostownicza 1A, 1000V, SMA

S1M dioda prostownicza SMA LGE
4,20
TA 7681AP PDIP24 Toshiba

TA7681AP PDIP42 Toshiba

TA 7681AP PDIP24 Toshiba
10,00
Rezystor 0515 ±1%,     4,3k; 2W Rezystor 0515 ±1%,     4,3k; 2W

Rezystor metalizowany rozm. 0515 ±1%, 4.3k

Rezystor 0515 ±1%, 4,3k; 2W
1,50
Kupowane z tym produktem
PASTA termoprzewodząca H  7g

PASTA TERMOPRZEWODZĄCA H 7g - tubka

PASTA termoprzewodząca H 7g
7,80

Producenci