IRF1010E N-MOSFET TO220 IR

Opis produktu

 IRF1010E - Advanced HEXFET® Power N-MOSFETs  60V 75A 120W 0,012Ω

• V_DS :60V
• V_GS : ± 20V
• R_DS(on) : 12mΩ
• I_D : 75A     TC= 25 °C
• Qg: 130nC
• RθCS :0.5°C/W
• opakowanie ; listwa 50szt

PDF

Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoœci prosimy o kontakt z firmą.