Opis produktu
FQD12N20LMT - ADVANCED POWER ELECTRONICS - Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
- VDS : 200V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : < 280mΩ
- ID : 9A TC= 25 °C
- Qg: 21nC
- RθCS :2.2°C/W
FQD12N20LMT N-MOSFET , TO252
Brutto: 4,43
towar dostępnySpecyfikacja produktu
| montaż: | SMD |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO252 (DPAK) |
| prąd drenu: | 9.0 |
| npięcie DS: | 200V |
| rezystancja przewodz. : | 250.0 mΩ |
