FGA60N65SMD tranz.IGBT ONSemi,

Opis produktu

FGA60N65SMD - tranzystor IGBT N. THT

• V_CES :      650V
• I_C :          @ T_C = 25^oC:  120A;      @ T_C = 100^oC:  60A   
• V_GES:            ±20V          
• P_D :         @ TC = 25^oC 600W, @ TC = 100^oC 300W
• Qg :        284nC

Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoœci prosimy o kontakt z firmą.