Opis produktu
FGA60N65SMD - tranzystor IGBT N. THT
- VCES : 650V
- IC : @ TC = 25oC: 120A; @ TC = 100oC: 60A
- VGES: ±20V
- PD : @ TC = 25oC 600W, @ TC = 100oC 300W
- Qg : 284nC
FGA60N65SMD tranz.IGBT ONSemi,
Brutto: 38,00
towar dostępnySpecyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | N-Channel |
| obudowa: | TO3P-3L |
| napięcie CE: | 600V |
| moc rozpraszana: | 300W |
