AU40N120T3A5 tranz. IGBT IR

Opis produktu

AU40N120T3A5, LX-Semi, N-Channel IGBT tranzystor Dzięki bramce Trench(pionowej) i warstwie zatrzymującej pole (Field Stop), oferuje bardzo niskie straty przewodzenia, szybkie przełączanie oraz wysoką sprawność w falownikach, spawarkach 

• V_CES :      1200V
• I_C :          @ TC = 25^oC:  80A;      @ TC = 100^oC:  40A   
• V_GES:     ±20V          
• P_D :         @ TC = 25^oC 375W, 
• Qg :        239nC