AP4435GJ P-MOSFET , TO251

Opis produktu

AP4435GJ - ADVANCED POWER ELECTRONICS - tranzystor  P-MOSFET; unipolarny -TO-251

• V_DS : 30V
• V_GS : ± 20V
• R_DS(on) : < 20mΩ
• I_D : 40A T_C= 25 °C
• Qg: 16,5nC
• R_θCS :2°C/W

Szanowni Klienci, pomimo dołożenia wszelkich starań zdjęcia produktów zamieszczone na stronach internetowych mogą nieznacznie odbiegać od rzeczywistego wyglądu towarów znajdujących się aktualnie w sprzedaży. Nie zmienia to jakości i funkcjonalności produktu. W razie wątpliwoœci prosimy o kontakt z firmą.