Opis produktu
AP4435GJ - ADVANCED POWER ELECTRONICS - tranzystor P-MOSFET; unipolarny -TO-251
- VDS : 30V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : < 20mΩ
- ID : 40A TC= 25 °C
- Qg: 16,5nC
- RθCS :2°C/W
AP4435GJ P-MOSFET , TO251
Brutto: 3,90
Specyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | P-MOSFET |
| prąd drenu: | 20.0 |
| npięcie DS: | 30V |
| rezystancja przewodz.: | 20,0mΩ |
| moc rozpraszana: | 45W |
