AGW40N170TMA1 tranz. IGBT LXS

Opis produktu

AGW40N170TMA1, LX-Semi, N-Channel IGBT tranzystor Dzięki bramce Trench(pionowej) i warstwie zatrzymującej pole (Field Stop), oferuje bardzo niskie straty przewodzenia, szybkie przełączanie oraz wysoką sprawność w falownikach, spawarkach 

• V_CES :      1700V
• I_C :          @ TC = 25^oC:  80A;      @ TC = 100^oC:  40A   
• V_GES:     ±20V          
• P_D :         @ TC = 25^oC 300W, 
• Qg :        450nC