Opis produktu

SUD50N06-09L-E3 175 °C Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFET
- obudowa: DPAK(TO252)
- VDSS = 60V
- RDS(on) = 9,9mΩ
- ID = 50A
- waga: 0,8g
- opakownie: rolka 1000szt

SUD50N06-09L-E3 175 °C Junction Temperature TrenchFET® Power MOSFET
| montaż: | SMD |
| typ tranzystora: | N-MOSFET |
| obudowa: | TO252 (DPAK) |
| prąd drenu: | 53 |
| npięcie DS: | 60V |
| rezystancja przewodz. : | 7.5 mΩ |