Opis produktu
IRF6218S - Infineon, HEXFET® Power MOSFET z kanałem P w obudowie TO-263
- ID : -27A @ 250C
- VDS : -150V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : 150mΩ
- Qg: 71nC
- P tot max : 250 W
- opakowanie ; rolka 1000szt
IRF6218S - Infineon, HEXFET® Power MOSFET z kanałem P w obudowie TO-263
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | P-MOSFET |
| obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| prąd drenu: | 28.0 |
| npięcie DS: | 150V |
| rezystancja przewodz. : | 150.0 mΩ |