Opis produktu
IRF5210STRLPBF - Infineon, HEXFET® Power MOSFET z kanałem P w obudowie TO-263
- ID : - 38A @ 250C
- VDS : -100V
- VGS : ± 20V
- RDS(on) : 60mΩ
- R thJC max : 0,75 kWh
Qg: 64,7nC - P tot max : 200 W
- opakowanie ; rolka 1000szt
IRF5210 P-MOSFET , D²PAK Infineon
Brutto: 6,00
towar dostępnySpecyfikacja produktu
| montaż: | THT |
| typ tranzystora: | P-MOSFET |
| obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| prąd drenu: | 38A |
| rezystancja przewodz. : | 60,0mΩ |
